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台积电12日宣布，以29亿元买下力晶竹科三五路兴建中的12寸晶圆厂房，做为20纳米以下先进制程的新基地。力晶29亿元落袋，可提升现金部位，抵抗DRAM市况寒冬。
市场原估计交易金额逾30亿元，实际以29亿元成交。外界认为，力晶此次「认赔卖厂」，帐面损失约4.18亿元，透露DRAM价格暴跌，显示业者压力甚大，急需现金挹注。
台积电指出，这次交易金额将采分期方式付款，力晶预期，**批帐款*快本季即可入帐。
DRAM价格去年第四季大跌逾五成，元月上旬1GbDDR3合约均价下探0.91美元的历史低点，价格仅剩去年同期约三成。力晶表示，DRAM市况低迷，公司短期内暂无新增产能需求，将竹科三五路兴建中的建物出售。力晶近期并陆续处分非核心事业持股求现，**波处分力积持股3,571张，获利2.56 亿元，昨天并申报转让晶相光持股1,189张。
台积电表示，买下力晶竹科三五路建物与建地后，将是旗下Fab12第七期基地，以 20纳米以下先进制程为主要技术，装机时间视客户需求。加上去年8月向世界先进购入的Fab12第六期，三年前竹科管理局释出的竹科三五路22公顷土地，全数由台积电统包。设备商预估，以一期12寸厂月产能平均4万至5万片估计，台积电取得世界先进、力晶两块地后，位于竹科Fab12,总月产能*高上看 25万片，超过去年竹科与南科月产能总和，可纾解台积电12寸产能吃紧。
力晶去年前三季手中现金与约当现金约53亿元，去年第四季DRAM价格大跌，现金流入瞬间大减。力晶原规划发行**存托凭证筹资，但遭主管机关退件，力晶卖厂后可进一步强化公司现金水位。
