英飞凌拟改12寸晶圆量产

继德州仪器积极导入12寸晶圆厂以扩大类比市场占有率后，在电源晶片市场同样举足轻重的英飞凌也已悄悄启动12寸晶圆量产研发计划，希望将电源晶片的生产由目前8寸厂升级至12寸厂，以因应市场持续高涨的节能需求，并巩固既有市场地位。

台湾英飞凌副总裁暨执行董事詹启祥指出，超接面MOSFET将是未来功率半导体市场的主流。

台湾英飞凌副总裁暨执行董事詹启祥表示，该公司已在奥地利展开12寸晶圆量产研发工作，主要将用于超接合技术的金属氧化物半导体场效应电晶体等功率半导体元件的生产，一旦相关发展成熟后，将可移植至马来西亚的晶圆厂进行量产。

由于超接面MOSFET可较传统平面式MOSFET在相同尺寸的裸晶上实现更低的导通电阻与切换损失，进而提升每单位面积的功率密度，因此，在节能意识抬头的市场环境中，重要性与日俱增，产品渗透率也节节攀升。

不过，与平面式MOSFET相比，目前超接面MOSFET产品价格仍偏高，所以英飞凌所推行的12寸晶圆量产计划，将有助进一步降低超接面MOSFET成本，为该市场的起飞预先作好准备。詹启祥分析，尽管目前传统平面式MOSFET的市场规模仍占大宗，但未来超接面MOSFET方案将会快速放量成长，两者将呈现明显的消长态势。

位于奥地利菲拉赫的英飞凌奥地利分公司，是英飞凌极为重要的研发和制造中心，规模仅次于德国总部与马来西亚分公司，专精于应用在汽车和工业暨多重市场的能源效率方案开发，并致力以低转换损失的功率半导体实现系统的微型化和高能效发展；此外，感测器和非接触式安全晶片亦是另一研发**。

詹启祥强调，历经有线与无线事业部门的切割后，现今的英飞凌已处于*佳的发展状态，产品组合也更为聚焦，尤其是功率半导体、绝缘栅双极电晶体及碳化矽萧特基二极体等方案，更是该公司*自豪的优势，对汽车和工业暨多重市场的拓展，将是莫大的助益。

据了解，英飞凌于2010年会计年度的研发费用高达3亿9,900万欧元，占总体营收比重的25%,较2009年会计年度的1亿9,500万欧元大幅攀升。